【JXMDZ獨家】集成電路封裝基礎(chǔ)知識----TO封裝（二）
發(fā)布時間：2020/9/3
什么是TO封裝？
TO的英文全名是：Transistor Outline （晶體管外形），是一種晶體管封裝，旨在使引線能夠被成型加工并用于表面貼裝。
為了更好的理解，那小編先給大家介紹下晶體管（Transistor）
1947年12月16日，威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。1950年，威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），就是現(xiàn)在通行的標準的晶體管。后來威廉·邵克雷（William Shockley）也被人稱為晶體管之父。
什么是晶體管(Transistor)？
晶體管是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管利用電訊號來控制自身，其響應(yīng)速度快，準確性高，可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關(guān)，穩(wěn)壓，信號調(diào)制和振蕩器。且體積小，結(jié)實可靠，電能消耗極小，壽命更長，常用于放大器或電控開關(guān)。
晶體管的分類
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（Bipolar Transistor 簡稱BJT）和場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 簡稱FET）。
雙極性晶體管（BJT）是由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體管，它的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector），有NPN型管和PNP型管兩種類型：
場效應(yīng)晶體管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路，它的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。有結(jié)型場效應(yīng)管（Junction FET，簡稱JFET ）和絕緣柵場效應(yīng)管（Metal-oxide Semiconductor FET，簡稱MOS管）兩種類型：
隨著晶體管的應(yīng)用，TO封裝技術(shù)也開始發(fā)展，從塑料材質(zhì)，到金屬材質(zhì)，不同的廠家TO封裝有不同的命名，但命名規(guī)則都是由封裝代號+管腳數(shù)組成：例如：TO-220-5，其中TO-220表示封裝的代號，后面的5表示其管腳數(shù)。
